中电喜获中央企业侨联首届归侨侨眷及留学人员“优秀创新团队奖”和“优秀创新人才奖”

1月23日，在中央企业侨联三届四次全委（扩大）会议上，中国电子喜获两个奖项。以“IC海归第一人”、中组部“千人计划”专家杨崇和博士率领的澜起科技内存缓冲控制器芯片研发团队，获得首届归侨侨眷及留学人员“优秀创新团队奖”；北京华大九天软件公司产品总监杨晓东获得“优秀创新人才奖”。

杨崇和博士率领的集成电路创新团队是由30人组成的一支高技术、高水平、国际化的集成电路设计与产业化队伍，其中5名海归人士，2人拥有博士学位，80%以上具有硕士以上的学历，平均从事集成电路专业领域年限为10-15年。

11年来，该团队深耕内存缓冲控制器芯片研发领域，紧跟JEDEC国际标准的演进，持续更新和完善DDR系列产品，先后研发成功超低功耗的DDR2、DDR3和DDR4系列内存缓冲控制器芯片，其中最新一代DDR4芯片是全球首颗通过英特尔认证以及全球首颗实现产业化的DDR4芯片，突破了动态电源管理与动态时钟分配管理、低功耗高速收发器、低延迟输出驱动器与高灵敏度输入接收器等一系列关键技术，技术水平国际领先，全球市场占有率约50%，极大地提升了我国在DDR内存缓冲控制器领域的芯片设计和产业化水平。

北京华大九天软件公司产品总监杨晓东1995年毕业于清华大学电子工程系微电子学专业获学士学位， 2000年毕业于美国加州大学圣迭哥分校( University of California, San Diego)获电机与计算机工程博士学位，在华大九天主要负责公司的产品规划和市场定位。

杨晓东主要成果包括开发支持模拟电路设计全流程及支持数字电路后端物理设计的EDA系统，攻克若干支持主流先进65nm/45nm/28nm 工艺下高端通用芯片设计的EDA关键技术，研发多款EDA工具，完善并推广处于世界领先地位的SoC设计优化EDA解决方案等。杨晓东博士带领团队承接多项国家级项目，为填补国内EDA软件技术空白作出贡献，并为公司团队建设、产品市场发展发挥了重大作用。

（来源：CEC中国电子）